Тензорезистивный эффект - определение. Что такое Тензорезистивный эффект
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

Что (кто) такое Тензорезистивный эффект - определение

Эттингсхаузена эффект; Эффект Эттингсхаузена
Найдено результатов: 447
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ      
изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.
Тензорезистивный эффект      

изменение удельного электросопротивления твёрдого проводника (металла (См. Металлы), полупроводника (См. Полупроводники)) в результате его деформации. Величина относительного изменения компонент тензора электросопротивления связана с Тензором деформации uim через тензор четвёртого ранга : . На практике пользуются понятием тензочувствительности , где - относительное изменение длины l образца под действием приложенной нагрузки в определённом направлении, - относительное изменение удельного электросопротивления ρ вдоль этого направления. В металлах k порядка единицы, в полупроводниках (например, в Ge и Si) в десятки и сотни раз больше.

Т. э. связан с изменением межатомных расстояний при деформации, что влечёт за собой изменение структуры энергетических зон кристалла. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение их между энергетическими максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Т. э. применяется в Тензодатчиках сопротивлений, служащих для измерения деформаций.

Лит.: Блатт Фр. Д ж., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Киреев П. С., Физика полупроводников, М., 1969: Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н., Полупроводниковые тензодатчики, М.- Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.

Б. А. Аронзон.

ПАРНИКОВЫЙ ЭФФЕКТ         
  • Прозрачность атмосферы Земли в видимом и инфракрасном диапазонах (поглощение и рассеивание):<br>
1. Интенсивность солнечного излучения (слева) и инфракрасного излучения поверхности Земли (справа) — даны спектральные интенсивности без учёта и с учётом поглощения<br>
2. Суммарное поглощение и рассеивание в атмосфере в зависимости от длины волны<br>
3. Спектры поглощения различных парниковых газов и [[рэлеевское рассеяние]].
  • Климатические индикаторы за последние 0,5 млн лет: изменение уровня океана (синий), концентрация <sup>18</sup>O в морской воде, концентрация CO<sub>2</sub> в антарктическом льду. Деление временной шкалы — 20 000 лет. Пики уровня моря, концентрации CO<sub>2</sub> и минимумы <sup>18</sup>O совпадают с межледниковыми температурными максимумами.
ПОВЫШЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НИЖНИХ СЛОЁВ АТМОСФЕРЫ ПЛАНЕТЫ ПО СРАВНЕНИЮ С ЭФФЕКТИВНОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ
Оранжерейный эффект; Тепличный эффект
(оранжерейный эффект) в атмосферах планет , нагрев внутренних слоев атмосферы (Земли, Венеры и других планет с плотными атмосферами), обусловленный прозрачностью атмосферы для основной части излучения Солнца (в оптическом диапазоне) и поглощением атмосферой основной (инфракрасной) части теплового излучения поверхности планеты, нагретой Солнцем. В атмосфере Земли излучение поглощается молекулами Н2О, СО2, О3 и др. Парниковый эффект повышает среднюю температуру планеты, смягчает различия между дневными и ночными температурами. В результате антропогенных воздействий содержание СО2 (и других газов, поглощающих в инфракрасном диапазоне) в атмосфере Земли постепенно возрастает. Не исключено, что усиление парникового эффекта в результате этого процесса может привести к глобальным изменениям климата Земли.
ОРАНЖЕРЕЙНЫЙ ЭФФЕКТ         
  • Прозрачность атмосферы Земли в видимом и инфракрасном диапазонах (поглощение и рассеивание):<br>
1. Интенсивность солнечного излучения (слева) и инфракрасного излучения поверхности Земли (справа) — даны спектральные интенсивности без учёта и с учётом поглощения<br>
2. Суммарное поглощение и рассеивание в атмосфере в зависимости от длины волны<br>
3. Спектры поглощения различных парниковых газов и [[рэлеевское рассеяние]].
  • Климатические индикаторы за последние 0,5 млн лет: изменение уровня океана (синий), концентрация <sup>18</sup>O в морской воде, концентрация CO<sub>2</sub> в антарктическом льду. Деление временной шкалы — 20 000 лет. Пики уровня моря, концентрации CO<sub>2</sub> и минимумы <sup>18</sup>O совпадают с межледниковыми температурными максимумами.
ПОВЫШЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НИЖНИХ СЛОЁВ АТМОСФЕРЫ ПЛАНЕТЫ ПО СРАВНЕНИЮ С ЭФФЕКТИВНОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ
Оранжерейный эффект; Тепличный эффект
то же, что парниковый эффект.
Эффект аудитории         
Эффе́кт аудито́рии (эффе́кт За́йонца, эффе́кт фасилита́ции) — влияние постороннего присутствия на поведение человека. Этот эффект необходимо учитывать при проведении, к примеру, психологических исследований: эффект аудитории можно рассматривать как один из факторов, угрожающих внутренней валидности.
Парниковый эффект         
  • Прозрачность атмосферы Земли в видимом и инфракрасном диапазонах (поглощение и рассеивание):<br>
1. Интенсивность солнечного излучения (слева) и инфракрасного излучения поверхности Земли (справа) — даны спектральные интенсивности без учёта и с учётом поглощения<br>
2. Суммарное поглощение и рассеивание в атмосфере в зависимости от длины волны<br>
3. Спектры поглощения различных парниковых газов и [[рэлеевское рассеяние]].
  • Климатические индикаторы за последние 0,5 млн лет: изменение уровня океана (синий), концентрация <sup>18</sup>O в морской воде, концентрация CO<sub>2</sub> в антарктическом льду. Деление временной шкалы — 20 000 лет. Пики уровня моря, концентрации CO<sub>2</sub> и минимумы <sup>18</sup>O совпадают с межледниковыми температурными максимумами.
ПОВЫШЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НИЖНИХ СЛОЁВ АТМОСФЕРЫ ПЛАНЕТЫ ПО СРАВНЕНИЮ С ЭФФЕКТИВНОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ
Оранжерейный эффект; Тепличный эффект
Парнико́выйЕлисеев А. В., Мохов И. И. ПАРНИКОВЫЙ ЭФФЕКТ // Большая российская энциклопедия. Том 25. Москва, 2014, стр. 368 или оранжерейный или тепличный эффе́кт
ШОТТКИ ЭФФЕКТ         
рост тока электронной эмиссии с поверхности твердого тела под действием электрического поля, ускоряющего электроны (уменьшающего работы выхода). Назван по имени немецкого физика В. Шоттки.
Шотки эффект         

уменьшение работы выхода (См. Работа выхода) электронов из твёрдых тел под действием внешнего ускоряющего их электрического поля. Ш. э. проявляется в росте тока насыщения термоэлектронной эмиссии (См. Термоэлектронная эмиссия), в уменьшении энергии поверхностной ионизации (см. Ионная эмиссия) и в сдвиге порога фотоэлектронной эмиссии (См. Фотоэлектронная эмиссия) в сторону бо́льших длин волн λ Ш. э. возникает в полях Е, достаточных для рассасывания пространств. заряда у поверхности эмиттера (Е Шотки эффект 10 -100 всм―1), и существен до полей Е Шотки эффект 106 в. см―1. При Е > 107 всм―1 начинает преобладать просачивание электронов сквозь потенциальный барьер на границе тела (Туннельная эмиссия).

Классическая теория Ш. э. для металлов создана немецким учёным В. Шотки (1914). Из-за большой электропроводности металла силовые линии электрического поля перпендикулярны его поверхности. Поэтому электрон с зарядом -е, находящийся на расстоянии х > а (а - межатомное расстояние) от поверхности, взаимодействует с ней так, как если бы он индуцировал в металле на глубине х своё "электрическое изображение", т. е. заряд +е. Сила их притяжения:

(1)

o - Диэлектрическая проницаемость вакуума), потенциал этой силы (φ э. и. = -е/16πεох. Внешнее электрическое поле уменьшает φ э. и. на величину Е. х (см. рис.); на границе металл - вакуум появляется потенциальный барьер с вершиной при х = хм =. При E ≤ 5.106в. см―1 xm ≥ 8Å. Уменьшение работы выхода Φ за счёт действия поля равно: , например при Е = 105в. см―1 ΔΦ = 0,12 эв и хм=60 Å. В результате Ш. э. j экспоненциально возрастает от jo до , где к - Больцмана постоянная, а частотный порог фотоэмиссии сдвигается на величину:

. (2)

В случае, когда эмиттирующая поверхность неоднородна и на ней имеются "пятна" с различной работой выхода, над её поверхностью возникает электрическое поле "пятен". Это поле тормозит электроны, вылетающие из участков катода с меньшей, чем у соседних, работой выхода. Внешнее электрическое поле складывается с полем пятен и, возрастая, устраняет тормозящее действие последнего. Вследствие этого эмиссионный ток из неоднородного эмиттера растет при увеличении E быстрее, чем в случае однородного эмиттера (аномальный Ш. э.).

Влияние электрического поля на эмиссию электронов из полупроводников (См. Полупроводники) белее сложно. Электрическое поле проникает в них на бо́льшую глубину (от сотен до десятков тысяч атомных слоев). Поэтому заряд, индуцированный эмиттированным электроном, расположен не на поверхности, а в слое толщиной порядка радиуса экранирования rэ. Для х > rэ справедлива формула (1), но для полей Е во много раз меньших, чем у металлов (ЕШотки эффект102-104 в/см). Кроме того, внешнее электрическое поле, проникая в полупроводник, вызывает в нём перераспределение зарядов, что приводит к дополнительному уменьшению работы выхода. Обычно, однако, на поверхности полупроводников имеются поверхностные электронные состояния. При достаточной их плотности (Шотки эффект1013 см―2) находящиеся в них электроны экранируют внешнее поле. В этом случае (если заполнение и опустошение поверхностных состояний под действием поля вылетающего электрона происходит достаточно быстро) Ш. э. такой же, как и в металлах. Ш. э. имеет место и при протекании тока через контакт металл - полупроводник (см. Шотки барьер, Шотки диод).

Лит.: Schottky W., "Physikalische Zeitschrift", 1914, Bd 15, S. 872; Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Ненакаливаемые катоды, М., 1974.

Т. М. Лифшиц.

Ф э.и. - потенциальная энергия электрона в поле силы электрического изображения; еЕх - потенциальная энергия электрона во внешнем электрическом поле; Ф - потенциальная энергия электрона вблизи поверхности металла а присутствии внешнего электрического поля: Фм - работа выхода металла; ∆Ф - уменьшение работы выхода под действием внешнего электрического поля; ЕF - уровень Ферми в металле; хм - расстояние от вершины потенциального барьера до поверхности металла; штриховкой показаны заполненные электронные состояния в металле.

Эффект Шоттки         
Эмиссии электронов из металла препятствует потенциальный барьер. Снижение этого барьера по мере увеличения прилагаемого внешнего электрического поля называется эффектом Шоттки (был предсказан Вальтером Шоттки в 1938 году).
Эффект Виллари         
Эффект Вилла́ри или магнитоупругий эффект — явление обратное магнитострикции, заключающееся в изменении намагниченности магнетика под действием механических деформаций. Назван по имени открывшего его в 1865 году итальянского физика Э.

Википедия

Эффект Эттингсгаузена

Эффе́кт Эттингсга́узена — эффект возникновения градиента температур в находящемся в магнитном поле проводнике, через который протекает электрический ток. Если ток протекает вдоль оси x {\displaystyle x} , а магнитное поле направлено вдоль y {\displaystyle y} , то градиент температур будет возникать вдоль z {\displaystyle z} . Эффект назван в честь Альберта фон Эттинсгаузена.

Краткое объяснение эффекта заключается в следующем. В среднем действие силы Лоренца и поля Холла компенсируют друг друга, однако, вследствие разброса скоростей носителей заряда, отклонение «более горячих» и «более холодных» происходит по-разному — они отклоняются к противоположным граням проводника.

Электроны, сталкиваясь с решёткой, приходят с ней в термодинамическое равновесие. Если они при этом отдают энергию, то проводник нагревается; если они поглощают энергию решетки, то проводник охлаждается, в результате чего возникает градиент температуры в направлении, перпендикулярном полю B {\displaystyle B} и току j {\displaystyle j} .

Характеристикой данного эффекта служит коэффициент Эттингсгаузена A E {\displaystyle A^{E}} :

z T E = A E B y j x {\displaystyle \nabla _{z}T^{E}=A^{E}B_{y}j_{x}} .

Эффект Эттингсгаузена может быть только адиабатическим.

Поскольку поле Холла зависит от скорости движения носителей зарядов, то в полупроводниках эффект сильнее на несколько порядков, чем в металлах.


Что такое ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ - определение